국내 연구진이 차세대 메모리인 스핀토크 엠램(STT-MRAM·스핀토크 자기메모리)에서 발생하는 오동작의 원리를 규명하는 동시에 양자효과 조절을 통해 오동작을 방지할 수 있다는 사실을 밝혀냈다.
고려대 신소재공학과 이경진 교수를 주축으로 삼성전자 오세충 박사, 한국기초과학지원연구원 박승영 박사, 포스텍 물리학과 이현우 교수의 산학연 공동연구팀은 양자효과를 이용해 자기메모리 기록특성을 제어하는 데 성공했다는 내용의 논문을 과학저널 ‘네이처 피직스(Nature Physics)’지 최신호에 게재했다고 최근 밝혔다.
스핀토크 엠램은 수십 나노미터(㎚. 1㎚는 10억분의 1ｍ) 크기의 작은 자석에 전압을 주입할 때 자석의 자화방향이 바뀌는 스핀전달토크(spin-transfer torque)를 이용하는 방식의 비휘발성 메모리로서, 초미세 공정이 가능하다.
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