국내 연구진이 대용량 데이터를 기존보다 10배 이상 빠르게 처리할 수 있는 ‘노어(NOR) 플래시 메모리’ 원천기술을 세계 최초로 개발했다.
최근 교육과학기술부에 따르면 서울대 전기컴퓨터공학부 박병국 교수팀은 고집적·대용량·고속 정보처리가 가능한 ‘원뿔구조 NOR 플래시 소자’를 개발하는 데 성공했다.
전원이 꺼지면 정보가 사라지는 D램과 달리 전원이 꺼진 상태에서도 정보를 저장할 수 있는 플래시 메모리는 회로 형태에 따라 ‘낸드(NAND)형’과 ‘NOR형’으로 구분된다.
낸드형 플래시는 내부 회로가 NOR형과 비교해 단순해 고집적, 대용량화에 유리한 특징을 가져 디지털 카메라, MP3플레이어에 주로 쓰이고, NOR형은 처리속도가 빨라 휴대전화에 많이 활용되고 있다.
그러나 현재 NOR 플래시 메모리의 구조는 채널이 평면형으로, 정보기록 속도가 느리고 배선 구조상의 문제로 집적화 효율이 저하되는 등 향후 5년내 성능과 집적도 증가에 한계가 올 것으로 예상된다.
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