국내 연구진이 양자효과 기반 집적회로의 핵심 부품을 세계 최초로 개발, 나노전자소자 기술의 획기적인 돌파구를 마련했다.
최근 교육과학기술부에 따르면 KAIST 양경훈 교수팀은 세계 최고 성능의 아날로그·디지털 통신용 집적회로의 핵심 부품인 초고주파 발진기 회로와 ‘4대1 멀티플렉서’ 회로 개발에 성공했다.
연구진은 2개의 공명터널 다이오드(RTD)를 양자효과 발진기 회로를 위해 제작했고, 자체 측정을 통해 29㎓에서 발진하는 출력 스펙트럼을 얻었다.
이어 연구진은 양자효과를 갖는 공명터널 다이오드와 함께 초고속 스위칭 특성을 갖는 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 동시에 집적, 새로운 집적회로를 제작할 수 있었다.
현재 가장 많이 이용되는 나노소자는 금속-절연체-반도체로 이뤄지는 실리콘 기반 전계효과 트랜지스터, 즉 MOSFET (Metal - Oxide - Semiconductor Field Effect Transistor)이다.
이와 관련한 회로설계 기술을 일컬어 일반적으로 상보형 MOSFET 기술, CMOS (Complementary Metal - Oxide - Semiconductor) 기술이라 한다.
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