이 기술은 패키지 재료로 쓰이던 플라스틱 대신 웨이퍼의 칩 위에 감광성 절연물질을 입히고 배선을 연결한 뒤 절연물질을 덧씌우는 간단한 절차로 조립공정을 모두 끝내게 된다.
이에 따라 반도체 조립방식이 ‘웨이퍼→칩 절단→PCB회로기판 부착→금선연결(와이어본딩)→플라스틱 패키지→볼 부착’에서 ‘웨이퍼→절연물질 부착→배선→절연물질→볼 부착’으로 바뀌게 됐다.
새 기술은 배선연결, 플라스틱 패키지(몰딩) 등의 조립과정이 단축되고 플라스틱, 회로기판, 배선연결용 와이어 등이 필요 없어 큰 폭의 원가절감이 가능하다고 삼성전자는 설명했다.
또 기존의 ‘칩 스케일패키지(CSP)’ 방식보다 패키지 크기를 20% 이상 줄일 수 있으며, 대용량 메모리 모듈 제작이 훨씬 쉬워졌다고 회사쪽은 강조했다.
삼성전자는 반도체를 이용한 제품 업체들도 같은 탑재공간에 대용량 메모리의 내장을 할 수 있게 되고 시스템 디자인 및 성능 개선에도 큰 효과를 볼 것으로 기대하고 있다.
이와 함께 칩의 전기적 특성이 크게 향상되고 열방출 효과도 좋아져 기능 및 신뢰도 면에서도 혁신적 개선을 볼 수 있게 됐다고 전했다.