SiC는 기존 실리콘 제품보다 고전압, 고온에서 작동할 수 있고 전력손실도 줄일 수 있어 우주항공, 자동차 전자장비, 발광소자 등에 쓸 수 있는 차세대 제품이다.
이 대학 전자세라믹스 센터는 실리콘카바이드 원료를 이용해 섭씨 2천∼2천500도의 고온에서 직경 5㎝이상, 두께 1㎝이상의 웨이퍼 소재를 단결정으로 생산하는데 성공했다.
이번에 개발된 SiC 반도체 소재는 섭씨 800도의 고온에도 견딜 수 있고 기판 크기도 직경 5㎝ 이상이어서 경제성이 높은 것으로 나타났다.
현재 미국, 일본, 독일 등 일부 기술선진국에서만 이 신소재의 단결정 기술과 웨이퍼 가공능력을 보유하고 있어 가격이 기존 실리콘 웨이퍼에 비해 100배 이상 비싸다.
기존 일반 실리콘 반도체는 100도 가량의 열에도 잦은 오작동과 고장이 일어나 반드시 냉각장치를 필요로 하지만 SiC소재 반도체는 높은 온도에 견딜 수 있어 고온과 고전압 계측기의 각종 기판과 고휘도 발광소자(LED) 기판으로 주로 사용되고 있다.
동의대 전자세라믹스 센터는 SiC의 양산을 위해 대학원생 등으로 구성된 창업기업 ‘크리스 밴드’를 설립했으며 관련 기술과 장비에 대해서는 이미 특허를 출원했다.
신병철 교수는 “내년부터 국내외 LED 제조사, 전력소자 생산업체 등에 시제품을 공급할 수 있을 정도로 기술을 축척하고 있다”며 “양산체제가 갖춰지면 상당한 수입대체효과가 있을 것”이라고 말했다.