50나노급의 차세대 반도체를 생산할 수 있는 초저(超低) 유전 박막 제조기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다.
최근 포항공대에 따르면 가속기연구소 이문호(화학과) 교수는 3㎚(나노미터. 1㎚는 10억분의 1m) 크기의 고분자를 이용해 반도체 선폭을 50nm까지 줄일 수 있는 신소재를 개발하는데 성공했다. 이번 연구 내용은 세계적인 과학전문지 ‘네이처 머티리얼스’ 인터넷판 최근 게재됐다.
이번 연구에 따라 반도체 선폭을 50㎚까지 줄일 수 있게 돼 반도체 칩의 성능을 지금보다 15배 이상 늘릴 수 있을 것으로 전문가들은 기대하고 있다.
이 교수가 광가속기를 이용해 개발한 신소재는 축구공 모양의 덴드리머로 지름3nm의 공기 구멍이 균일하게 나 있는 박막을 제조, 유전율 1.6을 실현했다. 50나노급 반도체를 생산하려면 유전율 2.0 이하의 초저 유전 재료가 필요하다.
이 교수는 “이 기술은 컴퓨터와 휴대전화 등 전자제품에 적용시킬 수 있는 나노 소재의 원천기술”이라며 “앞으로 50나노급의 차세대 반도체를 생산할 수 있을 것”이라고 설명했다.
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