최근 업계에 따르면 삼성전자는 경기 화성공장 설비투자와 라인 업그레이드에 5조원 이상의 시설투자를 계획중이며 하이닉스반도체는 최대 1조5천억원, 동부아남반도체는 6천500억여원을 설비확충에 투자할 것으로 추정된다.
반도체업계의 이러한 공격적 투자계획은 작년 하반기 이후 뚜렷한 회복세를 보이고 있는 반도체 산업이 올해 최소한 20% 가량 성장이 예상되는 본격적인 호황에 접어들 것이라는 판단에 따른 것이다.
삼성전자는 화성공장의 300㎜ 웨이퍼 양산라인인 12라인의 2, 3단계 설비투자에 3조원, 역시 300㎜ 웨이퍼 신규라인인 13라인에 1조원 안팎 등 4조원 가량의 자금을 들여 11~13라인의 웨이퍼 생산량을 4만∼5만장까지 늘릴 계획이다.
또 기존라인 업그레이드에 5천∼6천억원, 화성공장 증설허용에 따른 14∼15라인 기초공사에 4천∼5천억원 등 1조원 가량이 투입돼 총 설비투자액은 지난해 4조2천억원(LCD 제외)보다 20% 가량 늘어난 5조원에 달할 전망이다.
삼성전자 관계자는 “1, 2분기에 그 어느 때보다 공격적인 투자가 진행될 것이며 PC교체기와 올림픽 등으로 반도체산업이 고속성장을 계속할 경우, 하반기 분기별 투자조정을 통해 전체 설비투자 규모는 5조억원을 넘어설 수도 있다”고 말했다.
작년 3분기 흑자전환한 하이닉스는 올해 비메모리 사업분야 매각이 계획대로 진행될 경우, 청주공장에 300㎜ 웨이퍼 생산을 위한 파일럿 라인 가동과 이천 양산라인 투자, 기존 라인 업그레이드 등에 최대 1조5천억원 가량의 신규투자가 예상된다.
이는 올해 시설투자에 들어간 8천억원의 2배에 육박하는 규모다.
하이닉스의 300㎜ 웨이퍼 생산라인은 최대 월 3만5천∼4만장의 생산규모로 총 2조5천∼3조원의 자금이 투입될 예정이며 파일럿 라인의 수율이 검증되는 올 3분기 이후 설비투자가 이뤄져 내년 초 본격 가동될 것으로 보인다.
올해 합병이 완료되는 동부아남반도체의 경우, 음성 상우공장과 부천공장의 0.13미크론 및 0.09미크론 생산라인 증설 및 보완투자에 6천585억원이 투입된다.